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  • 2017/11/16 14:32
  • カテゴリー:雑記

ここの所本業の方がちょっと忙しくて432MHzのSSPA開発が進んでいません。というか、発熱対策に四苦八苦しており根本的にPCB材質を変えるか(FR4→テフロン系のPCB)、アンプの構成自体を考え直すか(500Wx2合成→1KWPA)悩んでいます。

また、プロジェクトメンバーの方がスウェーデンのアマチュア無線家の方とこのSSPAの話をされているのですが、その中で効率の話が出てきています。現在入手可能なSSPA(ヨーロッパのメーカー製)が効率70%程度(どのような使用条件かは不明ですが)との事で、そういう話を聞くとこちらももう少し効率を上げたい所ですがPAユニット~SSPA出力端までの損失(合成損失、LPFの挿入損失、同軸リレーや接続ケーブルの挿入損失、等々)を考えるとSSPAとしての総合効率で70%は通常のリニアモードのPAでは非常に厳しいのでは?と考えています。勿論、最新のLDMOS製品のデータシートスペックでは単体でのドレイン効率>70%なんて記載されていますけどね。

最新の>1KWのLDMOSを使えば(高価ですけど)上記の電力合成器の発熱問題(&挿入損失)や効率の点では改善されるかもしれませんが、今回のSSPAの試作はCWでの連続運用を目標にしているので、1デバイスで1KW動作はSSBやモールス信号などの間欠動作や短時間のCW(デバイスメーカーのテスト)では大丈夫かもしれませんが、ディジタル通信におけるCW連続動作では整合回路の部品が電力的に持たないような気がします。またヒートスポット(LDMOS)はヒートスプレッダ上でなるべく分散された方が放熱には有利だと考えています。放熱は半導体デバイスを使う上では非常に需要なファクタであり、半導体の長期信頼性はジャンクション温度に依存するといっても過言ではありません。

さてさて、どうしたものか?

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